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省电左图和右图分别是Cs3Sb2I9和n=3时假设的Cs3+nM(II)nSb2X9+3n的晶体结构。力电缆产量（e）Cs2AgSbCl6的拟用带图。
千米（c）三维Cs2AgBiBr6双钙钛矿的室温单晶X射线结构。同比（c）PBE计算的能带结构表明Cs2AgInCl6的弱转变参数。通常情况下，增长化合物的制备通常还需要高温，这种高加工温度要求限制了这类化合物的各种应用。
TGA（黑线），河北DSC（绿线）。省电（b）温度随单位体积（V）和立方轴长度的相关变化。
5.3、力电缆产量卤化双钙钛矿的器件稳定性6、力电缆产量卤化双钙钛矿的应用与基于Pb的钙钛矿相比，卤化物双钙钛矿的应用较少，因为该类化合物尚处于发展阶段，需要大量的光物理和结构研究来充分了解其性质。
千米（f）(BA)2AgBiBr7的无畸变的模型结构。同比（c）k1处对称化EDCs和超导能隙拟合图。
图3超导间隙变化图（a）电子口袋和各向异性超导能隙结构的示意图，增长（插图是样品＃6的红色正方形部分的放大光电子谱图）。相比于具有几乎相同的费米面的同一类材料，河北FeSe/STO界面的超导Tc始终比同一体系的体材料的最高Tc高20-50％。
省电本文由材料人编辑部张金洋编译整理。力电缆产量相关成果以EvidenceofcooperativeeffectontheenhancedsuperconductingtransitiontemperatureattheFeSe/SrTiO3interface为题发表在NatureCommunications上。